本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法,属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤:将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下,室温下超声反应,得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水,将二硫化钼块体材料进行化学剥离,得到单层的二硫化钼纳米片,加入无水乙醇清洗,通过超纯水分散,高速离心分离后,得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法,相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法,具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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