[课题]本发明制造一种含有Li,且尽管表面上具有C涂覆膜,但在粒子内和粒子间均具有均匀的Li浓度分布,并且抑制了SiC的生成的氧化硅类的
负极材料。[解决方法]通过对包含Si、Li和O且其中Si的一部分作为Si单质而存在、Li作为硅酸锂而存在的含有Si和硅酸锂的原料进行减压加热,从而使SiO气体与Li气体同时产生。通过冷却产生的气体,从而制作一种平均组成为SiLi
xO
y(0.05<x<y和0.5<y<1.5)的含Li氧化硅。在粒度调整后以900℃以下的处理温度,在粒子表面形成平均膜厚0.5~10nm的C涂覆膜。
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