本发明具体涉及一种离子束制备氮掺杂
石墨烯的方法,以改进的Hummers法制备氧化石墨烯,用离子束在NH3气氛下进行N+离子辐照,制备氮掺杂石墨烯。本发明所制备的氮掺杂石墨烯可以获得以下有益效果:由于其具有少层(1‑3层)的、低O/C比的特点,显示出良好的导电性,氮掺杂成功率高于传统的CVD法。本发明成功地将离子束处理的高效离子注入、真空、清洁无污染的技术特点加以应用,使得氧化石墨烯经过离子束处理之后成为具有优异
电化学性能的氮掺杂石墨烯,以其为原料制备出锂离子
负极材料,应用于锂离子电池中。
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