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卤素掺杂的碳硅纳米材料的制备方法及其应用

1129   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:29:38
本发明涉及一种卤素掺杂的碳硅纳米材料的制备方法及其应用,采用特定结构的碳源,通过简单的混合方式对硅纳米材料进行包覆,进一步高温碳化得到具有高比容量的碳硅纳米材料,使得得到的碳硅纳米材料作为锂电池负极材料时具有优越的性能,而且制备方法简单,成本低,为高性能硅纳米材料作为负极材料的在锂离子电池的应用领域具有更为广阔的前景。
声明:
“卤素掺杂的碳硅纳米材料的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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