本发明公开了一种以
石墨烯为骨架的硅碳薄膜负极及制备方法,属于锂离子电池领域。本发明所述的制备方法包括以下步骤:步骤1.在衬底上生长垂直石墨烯骨架;步骤2.将生长的垂直石墨烯骨架进行等离子处理;步骤3.在经步骤2处理后的垂直石墨烯骨架上生长硅材料。本发明设计科学,方法简单,操作简便。本发明创造性地先在衬底上生长垂直石墨烯,而后再在垂直石墨烯骨架上生长硅材料,从而可以将疏松的硅薄膜嵌入到垂直石墨烯片层之间形成硅碳负极,能很好地克服硅
负极材料的问题,并且可以充分发挥垂直石墨烯的面内导电性能,提高离子嵌入与析出效率,对于制备大容量锂离子电池特别是
固态电池具有重要意义。
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“以石墨烯为骨架的硅碳薄膜负极及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)