本发明提供一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法,该方法包括以下步骤:首先,将碳源和硅源按1~24:1的质量比溶解于溶剂中,经搅拌得到预溶液;其次,将预溶液进行静电纺丝,获得预产物;再次,将所述预产物依次经过干燥、固化和煅烧操作,得到Si/C纳米膜;最后,将上述Si/C纳米膜进行真空镀膜,镀一层导电层,即得到高电导率Si/C纳米膜。本发明所制得的高电导率Si/C纳米膜作为锂电
负极材料应用时,不仅体现出优异的导电性能,还能显著提高锂离子电池的循环稳定性和倍率性能,能够更好的满足纯电动车电池负极材料的应用需求。
声明:
“高电导率Si/C纳米膜的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)