本发明公开了一种以CVD及HVPE成长氮化镓的方法,其由串联化学气相沉积法及氢化物气相磊晶法的二段式反应炉,利用其第一段的高温化学气相沉积法成长具较好表面形态的氮化镓奈米结构,再以该氮化镓奈米结构为新成核点,藉由第二段的氢化物气相磊晶法成长厚膜的氮化镓。如是,藉由串联后的反应炉有较弱的压电场,可使量子局限史塔克效应较小,以有效改善以往在高温下以铝酸锂为基板时,其锂原子可能会扩散进入氮化镓间隙的问题。
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