本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法,所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层,以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层,所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层,所述界面层材料为氮化锂或卤素锂化物掺杂的氮化锂;所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。本发明中,所述界面层可有效降低空穴注入势垒,提高空穴注入速率,同时有效防止电子发生隧穿与空穴在非量子点发光区复合,从而提高器件的发光效率。
声明:
“量子点发光二极管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)