本发明公开了一种PMMA包覆的中空Sn-Ni合金纳米线阵列、其制备方法及其在
锂电池负极材料中的应用。本发明包括步骤:1)以AAO为模板恒流电沉积法制备Ni纳米线;2)以Ni纳米线为模板,通过电流置换反应制备中空Sn-Ni合金纳米线阵列;3)利用MMA原位本体聚合的方法在单根纳米线与AAO形成的圆环形孔隙内原位生成20-30nm的PMMA高分子薄膜,得到PMMA包覆的中空Sn-Ni合金纳米线阵列。以制得的PMMA包覆的中空Sn-Ni合金纳米线阵列为负极组装锂离子电池,50次循环后可逆比容量保持在0.84mAhcm-2,这主要得益于高分子的柔性和其内部中空结构对体积膨胀的缓冲作用。
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