本发明涉及一种由基板(20)或供体基板形成
半导体材料层(26)的方法,所述基板或供体基板由相同的半导体材料制成,所述方法包括:在所述供体基板中形成浓度在5×1018原子/cm3和5×1020原子/cm3之间的高锂浓度区域(22);然后,将氢注入(24)到在所述高锂浓度区域或所述高锂浓度区域的附近的供体基板中;将加固件(19)施加至所述供体基板;施加热预算以使得通过所述注入界定的层(34)剥离。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)