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在材料中形成断面的方法

867   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:08:12
本发明涉及一种由基板(20)或供体基板形成半导体材料层(26)的方法,所述基板或供体基板由相同的半导体材料制成,所述方法包括:在所述供体基板中形成浓度在5×1018原子/cm3和5×1020原子/cm3之间的高锂浓度区域(22);然后,将氢注入(24)到在所述高锂浓度区域或所述高锂浓度区域的附近的供体基板中;将加固件(19)施加至所述供体基板;施加热预算以使得通过所述注入界定的层(34)剥离。
声明:
“在材料中形成断面的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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