一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法,在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料,在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理,时间为10-60分钟,或然后通入氨气进行表面氮化,时间为10-60分钟;然后在500-1050℃温度范围通入载气H2和或N2,NH3气以及金属有机镓源,金属有机镓源流量为1-50sccm;NH3气500-7000sccm;N与Ga之摩尔比为500-3000,在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料,生长温度500-1050℃温度下,时间为10-60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值,且薄膜厚度可以控制。
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