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a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法

882   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:05:36
一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法,在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料,在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理,时间为10-60分钟,或然后通入氨气进行表面氮化,时间为10-60分钟;然后在500-1050℃温度范围通入载气H2和或N2,NH3气以及金属有机镓源,金属有机镓源流量为1-50sccm;NH3气500-7000sccm;N与Ga之摩尔比为500-3000,在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料,生长温度500-1050℃温度下,时间为10-60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值,且薄膜厚度可以控制。
声明:
“a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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