一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法,利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构,在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理,在一定500-1050℃温度范围通入载气N2,氨气以及金属有机源,在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料,再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN,以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构,最后生长一层m面P型层GaN。
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