本实用新型公开了一种在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜,它包括LiGaO2衬底, 依次生长在LiGaO2衬底上的GaN缓冲层、GaN薄膜;所述LiGaO2衬底以(100)面偏(110)方向0.2-1°为外延面。本实用新型的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点,可广泛应用于LED、LD、
太阳能电池等领域。
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