本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域,涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法,选用低阻硅作为基底和栅电极,采用热退火的方式制备超薄Li2O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In2O3半导体沟道层,进一步制备高性能、低能耗的TFT器件;其工艺简单,原理可靠,低成本,能耗少,制备的产品性能好,应用前景广阔,为大面积制备高性能的薄膜晶体管提供可行性方案。
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