本发明用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导 的方法,至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量1MeV~6MeV的C+,Cu+等离子注入,注入剂量在1×1013离子/平方厘米到5×1015离子/平方厘米范围内,在注入区内造成折射率的改变,然后利用聚焦电子束或者激光束扫描,使扫描区的折射率增高,形成埋层或者沟道形式的光波导。光波导的导波模式可以由工艺参数控制。该方法的线宽可以达到纳米量级。可以制成基于条形波导结构的光器件和折射率光栅。
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