均质掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)单晶的生长属 于单晶生长领域。本发明的特征是:按三元摩尔总量 等于100%计算,使用Li2O/Nb2O5=(47.2±0.3)/ (52.8∴0.3)(摩尔比),MgO含量为4.0-7.0摩尔% 的MgO:LiMbO3均质组成,在1220℃~1270℃的炉 温下,以1~3毫米/小时的提拉速度,10~25转/ 分钟的旋转速度,用提拉法生长MgO:LiNbO3单晶 体。经极化处理后所获得的晶体具有良好的光学均 匀性。采用本方法生长的MgO:LiNbO3单晶,无生 长条纹和包裹体等宏观缺陷,具有良好的化学组成均 匀性。
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