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生长6英寸钽酸锂晶体的方法

703   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 22:09:49
本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种生长6英寸钽酸锂晶体的方法,包括以下步骤:a)将钽酸锂原料装入铂铱合金坩埚内,抽真空后,冲氮气至正压;b)升温加热至1600~1645℃,是原料熔融;c)按下降籽晶,当籽晶下降至坩埚口0位时停止下降,将称重重量清零;d)根据籽晶重量变化调整引晶温度,及籽晶的下降或上升速率,完成引晶后,晶体进入自动生长;e)本通过实时调整放肩生长和等径生长的提拉速度控制晶体结晶速率,完成晶体生长后上拉晶体,使其脱离熔融液。
声明:
“生长6英寸钽酸锂晶体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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