本发明的一种(001)面暴露的TiN纳米片@
石墨烯锂硫
正极材料制备方法,包括以下步骤:将聚苯乙烯球溶于无水乙醇中溶解,标记为A;将悬浮液加入去离子水中,搅拌混合,标记为B;将GO加入到去离子水,搅拌混合,标记为C;将溶液A滴加到溶液B中搅拌,离心得到PS@Ti3C2球体;将PS@Ti3C2球体分散到去离子水中搅拌,将PS@Ti3C2溶液滴加到C溶液中,形成PS@Ti3C2/GO混合溶液,将该混合溶液制备为粉末状的前驱体;称取前驱体和三聚氰胺充分混合,然后在氩气氛围下将混合粉末加热得到由Ti3C2衍生的(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯微球簇锂硫正极材料。本发明的TiN纳米片具有定向暴露的(001)晶面,对多硫化锂具有良好吸附能力和催化作用,能有效提高活性物质利用率及锂硫电池循环稳定性。
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“(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)