本发明属于半导体器件加工制造技术领域,公开了一种铌酸锂单晶薄膜畴壁增强力电耦合响应器件的制备方法,利用原子力显微镜在铌酸锂单晶薄膜上施加电压实现电畴翻转,采用光刻工艺在已经实现电畴翻转的铌酸锂薄膜/硅基键合片表面进行对准标记制备并完成金属电极溅射,使用IBE干法刻蚀和RIE工艺实现铌酸锂和二氧化硅层的图形化,最后采用深硅技术刻蚀剩余硅层并封装,完成器件制备。本发明采用铁电材料电畴调控和MEMS微纳加工工艺相结合,制备铌酸锂单晶薄膜力电耦合器件,有效解决传统力电耦合器件力电耦合效率低和功能集成化低等问题,制得器件无铅无毒,使用寿命长,可重复使用,具有对环境友好、稳定性高、灵敏度高和宽温区等优点。
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