本发明公开了一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法,首先采用LNOI作为初始材料;然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO
2膜,并对其进行光刻,制作出条状结构的2~3μm宽的SiO
2掩模;接着把光刻后的样品在520~550℃下LRVTE处理10~20个小时,得到LRVTE区域,将所述LRVTE区域的单晶LN薄膜制作成光波导;最后去除SiO
2掩模,并对样品的端面进行抛光处理。本发明采用LRVTE技术制作的LN薄膜光波导的芯层晶格结构未受损伤,各项光学指标完好地保留了铌酸锂体材料的固有的典型数值,可以实现较低的传输损耗低。
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