本发明提出一种钽酸锂晶片异质键合的方法,包括以下步骤:将单晶硅片与钽酸锂晶片相对设置,保持单晶硅片表面的薄膜层与钽酸锂晶片相对设置,放入键合机;中温加热,并维持至少1h,完成一次键合,形成一次键合体;将一次键合体放入退火炉,高温加热退火,完成二次键合;其中,单晶硅片表面的薄膜层与
碳酸锂晶片层为异种材质;发明采用中温一次键合之后,又基于两种材质热膨胀系数不同的特性,设计了高温二次键合,即退火工艺,通过退火改变两层之间的结合键的类型,增强两层之间的结合力,避免层与层之间的剥离。
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