本发明公开了一种铈掺杂硼酸镥锂晶体的制备方法,涉及晶体生长领域。本发明的铈掺杂硼酸镥锂晶体的化学式为Li6CexLu1‑xB3O9,x的取值范围是0<x≤0.1;其制备方法为:将高纯氧化物原料事先合成,在坩埚下降法生长炉内生长晶体,本发明的制备方法与提拉法相比,优点是:温度场稳定,组分不易挥发,成品率高,生长的晶体尺寸和外形可以控制,小的温度梯度使晶体不易开裂,有效解决了熔体成分挥发和晶体开裂的技术难题,实现大尺寸硼酸镥锂晶体的稳定生长。另外,本发明的制备方法设备简单,操作方便,能耗低,生长效率高、成本低,可实现工业化生产。
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