本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器,包括:薄膜铌酸锂波导芯层和起偏器波导芯层保护部;所述起偏器波导芯层保护部包裹所述薄膜铌酸锂波导芯层;所述薄膜铌酸锂波导芯层包括起偏波导系统,所述起偏波导系统包括:输入波导单元、耦合单元和输出波导单元;所述输入波导单元、所述耦合单元和所述输出波导单元依次相连;所述输入波导单元包括:绝热锥型波导传输段;其中,所述起偏器波导芯层保护部用于保护所述薄膜铌酸锂波导芯层。本申请基于薄膜铌酸锂材料实现具有高消光比、低损耗和小尺寸的片上起偏器件,可应用于集成光学系统中,不仅有利于器件的集成化和
芯片的小型化,而且工艺技术成熟,成本低廉。
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“基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)