本发明公开了一种6‑8英寸掺铁铌酸锂晶体的生长方法,该方法包括以下步骤:(1)通过调节多晶原料中铁离子的掺杂量,优选铁离子掺杂浓度,制备掺铁的铌酸锂多晶原料;(2)采用晶体提拉炉,通过优化晶体生长工艺参数,生长出6‑8英寸掺铁铌酸锂晶体;(3)多晶原料中铁离子的掺杂浓度越高,生长获得的铌酸锂晶体的电阻率越低。该发明生长的掺铁铌酸锂晶体具有尺寸大、成品率高、电阻率可控等优点。
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