本发明提出了一种利用浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法,头部原料为富锂原料,其余部分为化学计量比原料,通过观察原料棒状态,判断当生长室温度达到适合晶体生长时,移动籽晶和原料棒连接到一起,使富锂的原料部分始终集中在热源中心保持熔融,随着晶体生长,化学计量比原料随时补充熔体中组分,使得熔体中组分保持稳定,晶体结晶中的组分才能保持稳定;本发明通过对原料棒结构的优化设计,首次利用浮区法制备得到近化学计量比铌酸锂单晶,晶体组分更接近化学计量比,结晶效率更高;使用少量富锂原料即可完成连续加料所完成的效果,由于原料中大量缩减了昂贵的
碳酸锂的使用,极大的降低了生产成本。
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