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浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法

635   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:29:39
本发明提出了一种利用浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法,头部原料为富锂原料,其余部分为化学计量比原料,通过观察原料棒状态,判断当生长室温度达到适合晶体生长时,移动籽晶和原料棒连接到一起,使富锂的原料部分始终集中在热源中心保持熔融,随着晶体生长,化学计量比原料随时补充熔体中组分,使得熔体中组分保持稳定,晶体结晶中的组分才能保持稳定;本发明通过对原料棒结构的优化设计,首次利用浮区法制备得到近化学计量比铌酸锂单晶,晶体组分更接近化学计量比,结晶效率更高;使用少量富锂原料即可完成连续加料所完成的效果,由于原料中大量缩减了昂贵的碳酸锂的使用,极大的降低了生产成本。
声明:
“浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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