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利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法

620   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 21:12:26
一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法，本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法，它为了解决现有调节三维光子晶体带隙的方法调节范围较窄、精度低的问题。调节三维光子晶体带隙的方法：一、铜箔垂直放入PS微球乳液中进行培养，得到生长有PS胶体模板的铜箔；二、将GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到电解液；三、使用三电极的电解池，采用恒电势法进行电沉积锗，得到三维锗薄膜；四、在三电极体系中进行嵌锂和脱锂过程，从而调节三维光子晶体带隙。本发明通过控制电压的方向，使具有三维光子晶体结构的锗薄膜相应地发生嵌锂及脱锂过程，由于Ge体积膨胀大，因此该方法的调节范围非常大。
声明：
“利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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