本发明属于纳米
复合材料技术领域,尤其涉及制备V
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4@C纳米片组装为中空管结构的合成方法。本发明通过水热反应技术制备前驱体MIL‑47(BDC)
n+,然后通过高温气相硫化技术合成V
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4@C纳米中空管。其方法为:取钒源,十六烷基三甲基溴化铵,抗坏血酸,对苯二甲酸,加入水中搅拌后,水热处理,形成带有前驱体的混合溶液,然后将该混合溶液抽滤再烘干形成黄绿色粉末,加入硫代乙酰胺,在管式炉中进行气相硫化,生成中空管状的V
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4@C纳米复合材料。本发明的制备方法简单,成本低,污染少,该方法为制备中空管状V
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4@C纳米复合材料提供了一种新策略。
声明:
“锂/钠/钾离子电池用中空V3S4@C纳米管负极材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)