本发明公开了一种AlSiC散热基体的绝缘层制作工艺,涉及绝缘层制作领域,本发明包括制备打底层浆料,制备绝缘层浆料,将打底层浆料和绝缘层浆料印刷到AlSiC基体上,将印刷后的AlSiC基体经过高温烘烤,最终得到带有
复合材料绝缘涂层的AlSiC基体;本发明介绍了一种AlSiC散热基体的绝缘层制作工艺方案,以实现击穿电压超过5000V的高绝缘特性,并且导热路径只有100um,在绝缘层上面可以做铜层和银层,电路热沉一体化;这样的工艺设计让导热和散热都做到了极致,而且可以取消了昂贵的氮化铝电路方案,极大的节约了成本;同时IGBT的元器件直接集成在热沉上,
芯片的膨胀系数与AlSiC热沉匹配很好,增加了可靠性,解决了IGBT电路与热沉集成化的难题。
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