本发明公开了一种含硅碳酸根型类水滑石超薄片的制备方法。将含Si
4+及二价和三价金属离子的混合盐溶液与Na
2CO
3和NaOH的混合碱溶液,在搅拌下同时加入反应器中,通过调节两者的相对添加速率控制反应体系的pH为9~11。其中,二价金属离子为Mg
2+、Co
2+、Ni
2+、Cu
2+或Zn
2+,三价金属离子为Al
3+、Cr
3+或Fe
3+。所制备的Si‑CO
3‑HTlc超薄片厚度小于3纳米,由2~4个类水滑石晶层组成;Si
4+与金属离子的摩尔比为0.16~0.27。该制备方法具有工艺简单、条件温和、成本低、环境友好、易于产业化等优势。所制备的Si‑CO
3‑HTlc超薄片在催化、
储能、
阻燃剂、
复合材料等领域有重要的应用前景。
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“含硅碳酸根型类水滑石超薄片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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