本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法,属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法,包括以下步骤:1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理,得到前驱体凝胶;所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到;2)将所得的前驱体凝胶进行干燥,得到复合粉体;3)将所得的复合粉体进行反应烧成,即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法,以膨胀碳材料作为碳源,分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面,也呈片状分布,经过烧成反应后,即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料,具有比表面积更大、更易分散的优点,并且层状结构能够改善其在
复合材料的界面润湿性。
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