本发明属于磁电传感器技术领域,涉及一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器,所述磁电薄膜传感器由磁电
复合材料与MOS管复合而成的多层异质结构及密绕在所述多层异质结构上下两侧的铜线圈构成,多层异质结构具体包括衬底层、本征层、n
+型半导体层、p
+型半导体层、第一金属接触层、第二金属接触层、第一输出电极、第二输出电极、绝缘层、两个磁致伸缩层和压电层。本发明中n
+型半导体层、p
+型半导体层和磁致伸缩层分别作为MOS管的源极、漏极和栅极,栅极电压变化引起MOS管内沟道感应电荷量变化,导致其导电沟道变宽,此时MOS管由截止状态工作在放大(即可变电阻区)状态,实现磁电电压的自放大功能,可用于较低信噪比环境下弱磁场的高灵敏度探测。
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“具有自放大能力的磁电薄膜传感器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)