本发明属于铁电薄膜技术领域,具体涉及一种LaMnO
3调控Bi
4Ti
3O
12带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法,以LaMnO
3插入Bi
4Ti
3O
12的过渡金属氧化物铁电陶磁为靶材,以(001)面SrTiO
3为衬底,通过脉冲激光分子束外延技术沉积Bi
4Ti
3O
12‑LaMnO
3薄膜。本发明制备LaMnO
3插入Bi
4Ti
3O
12过渡金属氧化物基多铁薄膜的方法,整个过程都在同一腔体内进行从而保证了样品的纯度,采用常规设备,非常利于推广。制得的
复合材料薄膜表现为强铁电性,在深紫外区具有较高的透射率,可以透过较高能量的光子,为过渡金属氧化物基多铁新型器件提供理论与技术基础,具有广阔的应用前景。
声明:
“LaMnO3调控Bi4Ti3O12带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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