本发明涉及一种化学气相沉积法制备同轴碳化硅/二氧化硅纳米电缆的方法,将浸泡后的碳/碳
复合材料置于在沉积炉,抽真空再通氩气至常压,然后向装有甲基三氯
硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气,将反应气源甲基三氯硅烷带入炉堂内,同时通入稀释氩气及稀释氢气进入反应。本发明合成工艺简单,不需要预先合成工艺;碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆在常压下制得,对设备的要求低;沉积温度较低,降低了制备成本;此外,还有一个突出的特点是可以通过调整沉积工艺参数有效控制碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆的纯度和均匀性。这些优点让大规模工业生产碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米电缆成为可能。
声明:
“化学气相沉积法制备同轴碳化硅/二氧化硅纳米电缆的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)