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双贯通结构高导热铜-金刚石电子封装材料及其制备方法

768   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:30:13
一种双贯通结构高导热铜‑金刚石电子封装材料及其制备方法,封装材料中的金刚石相和铜相分别连接成连续网状结构,其中的金刚石网络由CVD沉积的金刚石膜连接金刚石颗粒构成可自身连接导热的金刚石网,铜相的网状结构由压力熔渗过程中的铜液流动自然形成。制备方法包括首先采用化学气相沉积(CVD)方法在片状堆积的金刚石颗粒表面生长金刚石膜,使粒度范围为45‑300μm、厚度为0.2‑3mm、堆积孔隙率为20‑60%的片状金刚石堆积体中的金刚石颗粒彼此被生长出的2‑200μm厚的金刚石膜连接起来,形成金刚石颗粒间的连通通道;之后采用压力熔渗的方法将铜或铜合金熔液渗入经CVD工艺处理后的片状金刚石堆积体中,压力熔渗的压力范围为0.1‑70MPa、温度范围为850‑1200℃,获得具有金刚石相和铜相各自连接成网状结构的双贯通结构高导热铜‑金刚石复合材料
声明:
“双贯通结构高导热铜-金刚石电子封装材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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