本发明提供了一种硫族半导体CdX复合H‑TiO
2基纳米管阵列的制备方法,属于纳米
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:在含
钛金属基体上,通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列;对所制备的TiO
2纳米管有序阵列进行晶化处理后,再进行表面氢化处理,得到H‑TiO
2基纳米管阵列;对所制备的H‑TiO
2基纳米管阵列与硫族半导体CdX进行复合,制备得到一种硫族半导体CdX复合的H‑TiO
2基纳米管阵列。该TiO
2纳米管阵列复合材料原料廉价易得,制备方法简单,结构高度有序,拥有较高的比表面积,化学性能稳定,光催化性能较好,光转换率高,不仅可以作为光生阴极保护材料来使用,还可以作为光催化降解污染物材料来使用。
声明:
“硫族半导体CdX复合H-TiO2基纳米管阵列的制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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