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基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管

912   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:55:14
本发明公开了一种基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管,主要解决现有III-V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极(6)。源极和漏极均采用N组分为(0,0.03]的GaAsN复合材料;沟道采用Sb组分为[0.35,0.65]的GaAsSb复合材料;在衬底上,源极、沟道、漏极自下而上竖直分布,绝缘电介质与栅电极包裹在沟道外部。本发明通过GaAsN与GaAsSb两种材料相互接触形成II型异质隧穿结使得隧穿势垒高度降低,隧穿几率和隧穿电流增大,器件整体性能提升,可用于制作大规模集成电路。
声明:
“基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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