本发明涉及传感器气敏材料的制备领域,尤其涉及一种ZnO/Sn
3O
4气敏材料及其制备方法和在传感器中的应用。所述气敏材料由ZnO纳米颗粒和Sn
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4纳米花组成;其中,所述Sn
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4纳米花由分级的Sn
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4纳米片堆叠而成,所述ZnO纳米颗粒原位生长在Sn
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4纳米片上。本发明提出的通过水热方法制备的ZnO纳米颗粒修饰的分级花状Sn
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4敏感材料,利用ZnO纳米粒子对分级花状Sn
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4材料进行修饰,合成ZnO/Sn
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4复合材料,通过构建异质结构,可以产生独特的界面效应和异于其单组份的特殊性能,提高传感器的性能。复合材料的初始电阻远大于单一氧化物半导体的电阻,提高了传感器的响应。
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“ZnO/Sn3O4气敏材料及其制备方法和在传感器中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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