本发明公开了一种碲‑氮化硼
复合材料及其制备方法和场效应器件,该制备方法包括以下步骤:S1、在基板上制备氮化硼纳米管;S2、在所述氮化硼纳米管的表面覆上光刻胶,然后采用光刻工艺结合反应离子刻蚀工艺,将所述氮化硼纳米管切割成具有两端开口的段体,去除所述光刻胶;S3、将步骤S2得到的基板浸入45~55℃的氨水中处理,然后置于空气氛围中在800~900℃热处理;S4、将步骤S3得到的基板和碲粉置于真空密闭体系中,在300~500℃加热。本发明使用氮化硼纳米管作为碲半导体的包覆材料,解决碲纳米线材料在常温空气条件下工作稳定性差的问题,在场效应器件中具有更好的应用前景。
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