本发明涉及一种限制
复合材料基体内部裂纹扩展的方法,包括:(1)采用化学气相沉积方法在表面原位生长SiC纳米线的纤维预制体的表面制备层状PyC界面,得到SiCNWs/PyC纤维预制体;(2)采用化学气相渗透法CVI、先驱体浸渍裂解法PIP、反应溶体渗透法RMI中的至少一种,在SiCNWs/PyC纤维预制体中填充陶瓷基体,得到所述SiCNWs/PyC协同增强的陶瓷基复合材料;所述陶瓷基体为SiC、Si‑C‑N、Si‑B‑C‑N中的至少一种。
声明:
“限制复合材料基体内部裂纹扩展的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)