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纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法

768   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:17:02
本发明提供一种纳米线与石墨烯复合材料及其制备方法,制备方法包括:1)提供SGOI衬底,SGOI衬底由下至上依次包括硅衬底、埋氧层及SiGe层;2)刻蚀SiGe层,形成预定尺寸的条状SiGe阵列;3)将步骤2)得到的结构进行锗浓缩,得到表面被SiO2层包裹的Ge或SiGe纳米线;4)去除包裹在Ge或SiGe纳米线表面的SiO2层,得到Ge或SiGe纳米线阵列;5)在Ge或SiGe纳米线阵列上生长石墨烯。通过本发明的制备方法制得所述纳米线与石墨烯的复合材料,具有高质量、低缺陷、大小可控、均匀且笔直的优点,且石墨烯薄膜也具有高质量、低缺陷的特性;本发明的制备方法工艺简单可控。
声明:
“纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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