本发明属于金属材料技术领域,是一种制备纳米SiC增强铝基
复合材料的方法。以碳化硅和铝为原料,在手套箱Ar气保护下配料成为混合料。混合料中SiC的含量按体积百分比计为5%-30%。用高能振动磨将混合料球磨20-30小时后,在压片机和加热系统下进行热等静压处理,压力为600MP-800MP,温度200-250℃,处理时间1-2小时,自然冷却取出。然后在高温真空热压炉中真空热压,热压温度为600℃-700℃,压力为30MP-40MP,升温时间2小时,保温0.5小时。本发明在热等静压时,材料的致密度可以达到80-90%,后经热压烧结,材料的最终致密度能达到90-99%。本发明即避免了界面反应发生,同时又有利于材料的滑移和位错的形成,降低了孔隙率,提高了材料的致密度。
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