本发明涉及一种磁控溅射法制备GaN/导电基体
复合材料的方法,该复合材料为GaN,具体制备方法为:将纯度为99.99%GaN靶材和金属衬底分别安置于溅射腔中,靶材与衬底距离D=7cm;对腔体进行抽真空,V≥1×10-7Torr;对衬底进行加热,并将其温度保持在25~700℃;利用磁控溅射对靶材进行轰击,在金属衬底上沉积生长GaN。所制备GaN直接生长在导电基体上,与基体结合紧密;所制备样品中GaN为均匀的纳米颗粒,平均尺寸在40nm;所制备GaN可作为锂离子电池
负极材料,具有较高充、放电容量和较低的充、放电平台。
声明:
“磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法及其在锂离子电池上的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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