本发明提出一种陶瓷基
复合材料及制备方法,通过将引入TiC组分的C/C复合材料进行金属硅反应熔渗、退火处理得到,所述的退火处理在完成反应熔渗后,温度降至低于金属硅熔化温度保温,使复合材料中残余Si和TiC发生反应生成MAX相。本发明采用C/TiC‑C进行渗硅,利用残余硅与TiC在退火处理过程中反应生成三元相Ti
3SiC
2(MAX相),有效阻止残余硅和
碳纤维的反应,解决现有RMI工艺存在的基体碳与液相硅无法充分反应的问题。
声明:
“陶瓷基复合材料及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)