本发明公开了一种SiC纳米线增强多孔陶瓷
复合材料及其制备方法,该材料体积密度为0.5~1.8g/cm
3,通孔率为50~80%,由多孔陶瓷、SiC纳米线、界面层和SiC基体组成,其特征在于SiC纳米线原位生长在多孔陶瓷中,界面层包覆在SiC纳米线和多孔陶瓷表面,SiC基体填充在多孔陶瓷和SiC纳米线的空隙中。本发明采用SiC纳米线增强多孔陶瓷复合材料,有效提高多孔陶瓷内部的比表面积,同时对多孔陶瓷进行结构增韧补强,并且原位填充SiC基体,显著提高多孔陶瓷复合材料的过滤性能及高温隔热性能等。
声明:
“SiC纳米线增强多孔陶瓷复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)