本发明公开MoS
2纳米片镶嵌在碳基底
复合材料的制备方法及应用,属于
新材料技术领域。采用溶于二甲基甲酰胺的四硫代钼酸铵溶液为反应前驱体,加入到自制的反应装置中密封后放到可通保护气体的加热炉中加热到适当温度使前驱体分解成气体产生高压,在高压作用下制备MoS
2/C纳米复合材料。此MoS
2/C纳米复合材料是由MoS
2纳米片均匀镶嵌在氮氧共掺杂碳基底上的微结构组成的,然后将MoS
2/C纳米复合材料作为锂离子和
钠离子电池负极材料。本方法工艺简单﹑原材料丰富﹑成本低廉,采用本方案制备的MoS
2/C纳米复合材料作为锂离子和钠离子电池负极材料可以改善电池循环性能和倍率性能,宜于大规模推广,具有良好的应用前景。
声明:
“MoS2纳米片镶嵌在碳基底复合材料的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)