本发明公开了一种聚合物基介电
复合材料的制备方法。以十六烷基三甲基溴化铵和过硫酸铵构成氧化模板,再与具有一维结构的羧基化多壁
碳纳米管形成双模板,采用化学氧化法将促进吡咯单体在MWCNTs表面聚合,制备了具有特殊核‑壳同心轴结构的新型杂化聚吡咯/多壁碳纳米管导电复合材料。将其作为导电填料与聚偏氟乙烯聚合物基体复合,即可制得聚吡咯/碳纳米管/聚偏氟乙烯三相介电复合材料。整个制备过程中合成工艺简单,成本低,安全易得。本发明的PPy/MWCNTs/PVDF介电复合材料具有优良的介电性能和机械性能,在抗静电、传感器、微波吸收材料、电磁屏蔽材料、航空材料、电极材料、电磁屏蔽、金属防腐、发光二极管、医学上的药物释放等方面有着广泛的应用。
声明:
“聚合物基介电复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)