本发明涉及一种SiC/SiC
复合材料高致密多层基体及制备方法,将配置好的SiC颗粒(SiCp)浆料通过真空浸渍和压力浸渍的方法,引入到多孔SiC/SiC复合材料中,然后采用CVI法在多孔SiC/SiC复合材料中制备一定含量的热解碳,使其均匀包裹SiC颗粒,最后采用RMI法通过热解碳与熔融硅的反应完成SiC/SiC复合材料的致密化。不同粒径SiC颗粒的依次引入,形成分层结构,对后续制备PyC和SiC基体产生遗传效应,获得了均匀高体积分数的SiC基体相,增加了复合材料致密度,增加了裂纹扩展的能量,有效提高了复合材料力学性能。该方法制备的复合材料具有高体积分数均匀分布的SiC基体相,高的力学性能和低的开气孔率,解决了目前RMI工艺方法制备SiC/SiC基体中SiC相含量低分布不均匀和强韧性不足的问题。
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