本发明专利公开了一种基于压印光刻的
复合材料真三维MEMS器件的制造方法。该方法采用快速成型中的分层制造思想,将MEMS器件CAD模型分解为逐个截面薄层来制造。在生成承载MEMS器件某一截面层图案的石英模板的制作过程中采用扫描探针显微镜微刻和等离子干刻蚀技术。通过CVD/化学镀/双组份涂铺获取MEMS器件基材的薄层,采用当前IC生产线上的离心匀胶工艺,在MEMS器件基材的薄层上完成压印阻蚀胶的可控涂铺,采用压印光刻和等离子刻蚀工艺完成MEMS器件的单层成形,通过化学机械剖光(CMP)获得确定的薄层厚度。本发明的方法解决了MEMS的真三维问题;采用金属化学汽相沉积工艺有效地解决了MEMS制造材料单一的问题;采用大模板或多模板并行压印光刻,可实现MEMS批量制造。
声明:
“基于压印光刻的复合材料真三维微电子机械系统制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)