本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种膜层及其沉积方法、半导体结构及其形成方法。所述膜层沉积方法包括如下步骤:提供一介质层;传输前驱气体和反应气体至所述介质层表面,形成覆盖于所述介质层表面的膜层和副产物;除去所述副产物,推动所述前驱气体与所述反应气体之间的化学反应正向进行。本发明提高了生成的膜层的纯度,减少了所述膜层中夹杂的副产物,改善了膜层的结构稳定性和抗掺杂能力,确保了最终生成的半导体器件结构的良率。
声明:
“膜层及其沉积方法、半导体结构及其形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)