本发明公开了一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法,包括以下步骤:①将下述化合物按摩尔组分比混合:乙酸锰1.1~1.85,硝酸钴0.5~0.95,硫酸铜0.6~0.9;②根据配方配置浓度一定的反应前含锰钴铜离子的水溶液,然后在一定温度和搅拌速度下加入碳酸钾溶液共沉淀;③沉淀物用去离子水反复清洗并过滤烘干后,在一定温度下加热分解生成NTC陶瓷前驱物;④将NTC陶瓷前驱物与一定比例的玻璃粉进行高速球磨混合;⑤加入一定量的有机载体轧制成浆料。本发明不仅可研制出超低方阻的NTC浆料配方,烧结后室温电阻率在5~50Ω.cm之间,应用该浆料制备的NTC器件阻值可低至1~5Ω,B值在2000K以上,本发明所提供的技术方案对低阻厚膜NTC浆料的工业化生产具有重要实用价值。
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